类型描述

全选

类别分立半导体产品

晶体管  FET，MOSFET单 FET，MOSFET

制造商   onsemi

系列   QFET®

包装  卷带（TR）

剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

产品状态  在售

FET 类型 P 通道

技术  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）9 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 270 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 42W（Tc）

工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型  表面贴装型

供应商器件封装  8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳  8-PowerWDFN

基本产品编号   FDMC2523